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IXFK 80N50P
IXFX 80N50P
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Transconductance
100
100
T J = -40 ° C
25 ° C
80
60
40
20
0
T J = 125 ° C
25 ° C
-40 ° C
80
60
40
20
0
125 ° C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
250
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
200
150
100
T J = 125 ° C
8
7
6
5
4
3
I D = 40A
I G = 10mA
50
0
T J = 25 ° C
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
100000
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1000
C iss
C oss
100
10
25μs
100μs
1ms
100
C rss
T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
DC
10ms
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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